Si/Ge超晶格量子级联激光器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510726305.5
IPC分类号：H01S5/30;H01S5/34
申请日期：
2015-10-27
申请人：
西安电子科技大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	Si/Ge超晶格量子级联激光器及其制备方法
申请号	CN201510726305.5	申请日期	2015-10-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-03-23	公开/公告号	CN105429001A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/30 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/30 激活区的结构或形状；用于激活区的材料〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;3;0;;;H;0;1;S;5;/;3;4查看分类表>
申请人	西安电子科技大学	申请人地址	陕西省西安市太白南路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安电子科技大学	当前权利人	西安电子科技大学
发明人	舒斌;吴继宝;古牧;范林西;陈景明;张鹤鸣;宣荣喜;胡辉勇;宋建军;王斌
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种Si/Ge超晶格量子级联激光器及其制备方法，该激光器从下往上依次包括硅衬底、Si0.5Ge0.5缓冲层、硅锗超晶格和SiO2，在硅锗超晶格顶部和Si0.5Ge0.5缓冲层上沉积铝电极，Si0.5Ge0.5缓冲层的厚度为300nm，所述Si0.5Ge0.5缓冲层为5nm的硅和5nm的锗交互生长形成硅锗超晶格结构，所述的Si0.5Ge0.5缓冲层的硅锗比例为1∶1。本发明既能够兼容CMOS工艺，又能够实现锗光源对不同波长光的需求，且具有较高的光电转换效率，光稳定性，加工简单、方便，为实现片上光源提供一个具体的结构和实施方案。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供