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基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510416091.1
  • IPC分类号:H01L45/00
  • 申请日期:
    2015-07-15
  • 申请人:
    中国科学院半导体研究所
著录项信息
专利名称基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法
申请号CN201510416091.1申请日期2015-07-15
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2015-11-18公开/公告号CN105070827A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人中国科学院半导体研究所申请人地址
北京市海淀区清华东路甲35号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院半导体研究所当前权利人中国科学院半导体研究所
发明人周亚玲;付英春;王晓峰;王晓东;杨富华
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人任岩
摘要
一种基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法,该方法包括:在衬底上生长第一电热绝缘材料层,旋涂并光刻形成纵向第一掩膜层;在第一电热绝缘层上淀积第一功能材料层,并形成第一功能材料层缝隙;之其上制备一层相变材料层;退火、腐蚀,将相变材料层去除,形成相变材料层纳米线;光刻,形成形成水平对置电极层局域化的相变材料量子点;去除第二掩模层,淀积第二电热绝缘层;去除第三掩模层;淀积第三电热绝缘材料层;光刻出第四掩模层,腐蚀,薄膜淀积第二功能材料层,并剥离形成测试电极,完成器件制备。本发明具有工艺精度要求低、制备简单、可靠性高、制备良品率高、研发成本低和经济高效的优点。

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