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具有降低暗电流的隔离结构的图像传感器

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201920384658.5
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2019-03-25
  • 申请人:
    思特威(上海)电子科技有限公司
著录项信息
专利名称具有降低暗电流的隔离结构的图像传感器
申请号CN201920384658.5申请日期2019-03-25
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人思特威(上海)电子科技有限公司申请人地址
上海市浦东新区自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人思特威(上海)电子科技股份有限公司当前权利人思特威(上海)电子科技股份有限公司
发明人徐辰;石文杰;戚德奎;王欣;杨光;邵泽旭
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本实用新型提出一种具有降低暗电流的隔离结构的图像传感器,所述图像传感器的各感光器件之间及多个晶体管之间设置有不同形式的隔离结构,各感光器件及各晶体管之间可以采用离子注入方式隔离,STI或LOCOS隔离,或部分采用STI或LOCOS隔离的方式。基于上述多种隔离方式,还可以包括浅层注入隔离的第三隔离方式。本实用新型提出的隔离设计方案,能有效降低像素电路的暗电流,并可进一步提高电路的转换增益,提升图像传感器的性能。

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