加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

接触孔的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410339008.0
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2014-07-16
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称接触孔的制作方法
申请号CN201410339008.0申请日期2014-07-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-03-02公开/公告号CN105374736A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人王新鹏
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人吴贵明;张永明
摘要
本申请公开了一种接触孔的制作方法。其中,该制作方法包括:在衬底的表面上远离衬底的方向上依次形成介质层和具有图形的掩膜层;沿掩膜层中图形的长轴方向,在裸露于图形外的介质层的两端上形成辅助掩膜层;沿掩膜层中图形向下刻蚀辅助掩膜层和介质层至暴露出衬底,在介质层中形成接触孔;去除掩膜层。该制作方法利用辅助掩膜层在后续刻蚀介质层形成接触孔的过程中所产生的刻蚀残留物,以使得介质层中沿接触孔短轴方向的内壁上形成的刻蚀残留物等于沿接触孔长轴方向的内壁上形成的刻蚀残留物,进而使得接触孔中沿短轴方向的尺寸变化值等于沿长轴方向的尺寸变化值,从而获得具有设计尺寸的接触孔。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供