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形成封装件衬底的机制

发明专利有效专利

申请号：
CN201410436288.7
IPC分类号：H01L23/31;H01L21/56
申请日期：
2014-08-29
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	形成封装件衬底的机制
申请号	CN201410436288.7	申请日期	2014-08-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-05-27	公开/公告号	CN104658989A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	林俊成;蔡柏豪
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人	章社杲;孙征

摘要

本发明根据一些实施例提供了一种封装件结构和用于形成封装件结构的方法。该封装件结构包括半导体管芯和部分或全部密封半导体管芯的模塑料。该封装件结构还包括位于模塑料中的贯通封装过孔。该封装件结构还包括位于贯通封装过孔和模塑料之间的界面层。该界面层包括绝缘材料且与模塑料直接接触。

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