一种大规模晶体硅颗粒的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811070839.7
IPC分类号：C30B23/02;C30B29/06;C01B33/021
申请日期：
2018-09-14
申请人：
四川大学

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著录项信息

专利名称	一种大规模晶体硅颗粒的制备方法
申请号	CN201811070839.7	申请日期	2018-09-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-15	公开/公告号	CN109208070A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B23/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B23/00 冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长〔3〕 C30B23/02 外延层生长〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;3;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;0;1;B;3;3;/;0;2;1查看分类表>
申请人	四川大学	申请人地址	四川省成都市武侯区一环路南一段24号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	四川大学	当前权利人	四川大学
发明人	黄青松;刘强;齐瑞峰;苏栎权
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供了一种碳化硅表面外延生长大规模晶体硅颗粒的制备方法，所述晶体硅颗粒生长在单晶碳化硅表面，所述制备方法包括如下步骤S100对单晶碳化硅片进行加热处理；S200当所述密封环境的温度升至500℃‑2000℃后，进行保温处理；所述保温处理的时间为1 s‑100 h；S300保温结束后，进行降温处理；降至室温后即可得到生长在单晶碳化硅表面的大规模晶体硅颗粒。本发明生产设备更加简单，与单晶硅片激光打印法制不同晶型的硅颗粒相比，不需要昂贵的激光设备，成本廉价且能够大规模制备晶体硅颗粒。

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