具有熔线的半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02150236.6
IPC分类号：H01L23/62;H03K17/08;H01L21/82
申请日期：
2002-11-06
申请人：
雅马哈株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有熔线的半导体器件及其制造方法
申请号	CN02150236.6	申请日期	2002-11-06
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-05-21	公开/公告号	CN1419289
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/62 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/58 其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置〔5〕 H01L23/62 防过电流或过电负荷保护装置，例如熔丝、分路器〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;6;2;;;H;0;3;K;1;7;/;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2查看分类表>
申请人	雅马哈株式会社	申请人地址	日本静冈县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	雅马哈株式会社	当前权利人	雅马哈株式会社
发明人	神谷孝行;大村昌良
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	李晓舒;魏晓刚

摘要

本发明公开了一种半导体器件，具有：一端被施加有第一电压的熔线元件，和具有源极、栅极及漏极端的MOS型晶体管，该晶体管还有一个位于熔线元件的另一端和源极与漏极端之一之间的连结点，低于第一电压的第二电压施加到源极和漏极端中的另一个，其中：选择第一和第二电压、MOS型晶体管的特性以及熔线元件的电阻值，使得当给栅极端施加预定编程电压时，熔线元件可以被击穿；和把熔线元件的电阻值设置成这样一个值，即当给栅极施加编程电压时，连结点的电压与第二电压之间的压差低于漏电流开始饱和时的MOS型晶体管的漏电压。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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