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薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810105178.7
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2008-04-29
  • 申请人:
    北京大学
著录项信息
专利名称薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法
申请号CN200810105178.7申请日期2008-04-29
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2008-10-08公开/公告号CN101281948
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人北京大学申请人地址
江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江苏华功半导体有限公司当前权利人江苏华功半导体有限公司
发明人康香宁;章蓓;包魁;代涛;张国义
代理机构北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)代理人贾晓玲
摘要
本发明公开了一种薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法,属于GaN基发光二极管技术领域。该方法包括:在蓝宝石衬底上生长多层GaN基发光二极管材料,包括非掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱、P型GaN层;在GaN基发光二极管材料上制备GaN基发光二极管;蓝宝石衬底上均匀涂布一层有机聚合物;利用压印模板,在有机聚合物上形成光子晶格结构;从带有光子晶格结构的有机聚合物一面,激光辐照所述蓝宝石衬底,至蓝宝石衬底与非掺杂的GaN层分离,同时,非掺杂的GaN层材料形成光子晶格结构,从而得到薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管。本发明适合大面积制备薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管。

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