超导材料的临界电流测量方法、系统及介质

发明专利有效专利

申请号：
CN201910745143.8
IPC分类号：G01R33/12
申请日期：
2019-08-13
申请人：
上海交通大学

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著录项信息

专利名称	超导材料的临界电流测量方法、系统及介质
申请号	CN201910745143.8	申请日期	2019-08-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-11-08	公开/公告号	CN110426661A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R33/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R33/00 测量磁变量的装置或仪器 G01R33/12 测量物品的磁性或者固体或流体样品的磁性（涉及磁共振的入G01R 33/20）〔4〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;3;/;1;2查看分类表>
申请人	上海交通大学	申请人地址	上海市闵行区东川路800号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海交通大学	当前权利人	上海交通大学
发明人	李小汾;陈怡文
代理机构	上海汉声知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明提供了一种超导材料的临界电流测量方法、系统及介质，包括时变电流加载步骤在样品中通以时变电流；磁场测量步骤将包括感性线圈的传感器设置在预设位置，通过传感器测量样品周围的磁场分布，获得测量信息；临界电流判断步骤根据获得的测量信息，判断样品是否达到临界电流状态以及样品在时变电流加载步骤中的哪一时刻达到临界电流，并获得样品的临界电流。本发明经过短样的实验，在电流远远大于样品临界电流(临界电流300A的样品中通过550A电流)的情况下，多次重复实验，避免了样品的烧坏。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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