一种巨磁阻薄膜的力电磁耦合行为的检测装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201120440001.X
IPC分类号：G01R33/14;G01L1/24;G01R27/08
申请日期：
2011-11-08
申请人：
清华大学

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专利名称	一种巨磁阻薄膜的力电磁耦合行为的检测装置
申请号	CN201120440001.X	申请日期	2011-11-08
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R33/14 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R33/00 测量磁变量的装置或仪器 G01R33/12 测量物品的磁性或者固体或流体样品的磁性（涉及磁共振的入G01R 33/20）〔4〕 G01R33/14 磁滞回线的测量或绘制	IPC分类号	G;0;1;R;3;3;/;1;4;;;G;0;1;L;1;/;2;4;;;G;0;1;R;2;7;/;0;8查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市海淀区北京市信箱82分箱清华大学专利办公室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	冯雪;张长兴;董雪林
代理机构	北京鸿元知识产权代理有限公司	代理人	邸更岩

摘要

一种巨磁阻薄膜的力电磁耦合行为的检测装置，属于工程材料、结构形变以及力学实验、电学实验技术领域。该装置包括磁场发生器、巨磁阻薄膜磁滞回线测量光路、薄膜应力测量光路、薄膜电阻探针测试仪。巨磁阻薄膜磁滞回线测量光路包括激光器、光阑、反光镜、起偏镜、检偏镜、透镜、光电检测器，薄膜应力测量光路包括激光器、空间滤波器、校准器、反光镜、CCD相机。该装置可实现力电磁耦合作用下的巨磁阻薄膜磁滞回线、薄膜应力和薄膜电阻的在线同时测量，从而得到巨磁电阻薄膜在力电磁耦合作用下的薄膜电阻同磁感应强度、薄膜应力的耦合关系。

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