垂直的霍尔传感器结构

发明专利有效专利

申请号：
CN202010644009.1
IPC分类号：H01L43/04;H01L43/06
申请日期：
2020-07-02
申请人：
TDK-迈克纳斯有限责任公司

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著录项信息

专利名称	垂直的霍尔传感器结构
申请号	CN202010644009.1	申请日期	2020-07-02
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-01-05	公开/公告号	CN112186095A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L43/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L43/00 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L43/02 零部件〔2〕 H01L43/04 霍尔效应器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;3;/;0;4;;;H;0;1;L;4;3;/;0;6查看分类表>
申请人	TDK-迈克纳斯有限责任公司	申请人地址	德国弗赖堡变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	TDK-迈克纳斯有限责任公司	当前权利人	TDK-迈克纳斯有限责任公司
发明人	M-C·韦基;R·埃尔韦;M·科尼尔斯;K·胡
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	暂无

摘要

一种垂直的霍尔传感器结构，其具有衬底层、第一导电类型的半导体区域、分别从半导体区域的上侧延伸到半导体区域中的至少一个第一导电类型的第一、第二和第三半导体接通区域、至少一个第二导电类型的半导体接通区域，其中，第一导电类型的半导体接通区域彼此间隔开，并且在每个第一导电类型的半导体接通区域上布置有金属连接接通层，第二导电类型的第一半导体接通区域与第一导电类型的第一半导体接通区域邻接，或与第一导电类型的第一半导体接通区域具有最高0.2μm的间隔，第一导电类型的第一半导体接通区域与第二导电类型的第一半导体接通区域导电地连接。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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