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一种高纯钒靶坯的制备方法及利用其制得的高纯钒靶材

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011580420.3
  • IPC分类号:C23C14/34;C22F1/18;C23C14/35;B23P15/00
  • 申请日期:
    2020-12-28
  • 申请人:
    宁波江丰电子材料股份有限公司
著录项信息
专利名称一种高纯钒靶坯的制备方法及利用其制得的高纯钒靶材
申请号CN202011580420.3申请日期2020-12-28
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-05-11公开/公告号CN112779508A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/34IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;2;2;F;1;/;1;8;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;B;2;3;P;1;5;/;0;0查看分类表>
申请人宁波江丰电子材料股份有限公司申请人地址
浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人宁波江丰电子材料股份有限公司当前权利人宁波江丰电子材料股份有限公司
发明人姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;黄东长
代理机构北京远智汇知识产权代理有限公司代理人王岩
摘要
本发明涉及一种高纯钒靶坯的制备方法及利用其制得的高纯钒靶材,所述制备方法包括:将钒铸锭依次进行锻造、退火、轧制以及再次退火,得到高纯钒靶坯;其中,所述再次退火的温度为450‑550℃。所述制备方法利用锻造、退火、轧制以及再次退火的协同耦合作用,并严格限制再次退火的温度为450‑550℃,制备得到的钒靶坯不仅内部结构均匀,还具有晶粒细小的优点,晶粒尺寸≤50μm,基本可以控制在20‑40μm范围内,而且成品率高达90%以上。

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