半导体装置及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200310114993.7
IPC分类号：--
申请日期：
2003-11-14
申请人：
夏普株式会社

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置及其制造方法
申请号	CN200310114993.7	申请日期	2003-11-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-06-02	公开/公告号	CN1501487
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	夏普株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夏普株式会社	当前权利人	夏普株式会社
发明人	赤川正文;堀尾正弘
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	罗亚川

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具备形成多条配线的导体层和在与导体层的多条配线重叠的区域中被形成的焊片。配线的一部分与焊接合，另一方面，在配线的其它部分和焊片之间形成绝缘性的保护膜。至少与焊片重叠的区域内的上述配线上的保护膜与相邻的配线上的保护膜架桥。这样，由于配线上的保护膜变成桥接形状，因此，在保护膜的下部难以产生裂缝。另外，由于在架桥的部分的下面被形成的空孔部分作为空气弹簧而起作用，因此能防止损伤在保护膜的下面所形成的配线等构成要素。另外，由于不需要作为冲击缓冲材料的聚酰亚胺膜，因此能防止作业效率的下降和芯片成本的上升。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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