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一种以二氧化碲为基底的中短波红外增透膜

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201420310973.0
  • IPC分类号:G02B1/11
  • 申请日期:
    2014-06-12
  • 申请人:
    中国科学院上海技术物理研究所
著录项信息
专利名称一种以二氧化碲为基底的中短波红外增透膜
申请号CN201420310973.0申请日期2014-06-12
法律状态放弃专利权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B1/11IPC分类号G;0;2;B;1;/;1;1查看分类表>
申请人中国科学院上海技术物理研究所申请人地址
上海市虹口区玉田路500号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海技术物理研究所当前权利人中国科学院上海技术物理研究所
发明人罗海瀚;刘定权;蔡清元;李耀鹏
代理机构上海新天专利代理有限公司代理人郭英
摘要
本专利公开了一种以二氧化碲为基底的中短波红外增透膜,该增透膜使用了硫化锌(ZnS)和氟化镱(YbF3)为不同折射率的膜层材料,使用离子源辅助沉积与合适的基底烘烤温度等特定工艺条件,在基底的两个表面分别沉积8层非规整的膜层。该增透膜元件可以使得在1.25~4.0微米(μm)区间具有良好的透光效果,平均透过率>95%。TeO2晶体是一种优质的声光晶体,广泛应用于声光调制器,该增透膜可以有效提高声光调制器的光学效率,在宽光谱应用方面呈现出明显优势。

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