纳米器件沟道超薄栅介质电容测试方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110188786.0
IPC分类号：G01R27/26;G01R31/26
申请日期：
2011-07-05
申请人：
中国科学院微电子研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	纳米器件沟道超薄栅介质电容测试方法
申请号	CN201110188786.0	申请日期	2011-07-05
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-01-09	公开/公告号	CN102866303A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R27/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R27/00 测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置 G01R27/02 电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性，例如时间常数的实值或复值测量（仅仅通过测量相位角的入G01R 25/00） G01R27/26 电感或电容的测量；品质因数的测量，例如通过应用谐振法；损失因数的测量；介电常数的测量	IPC分类号	G;0;1;R;2;7;/;2;6;;;G;0;1;R;3;1;/;2;6查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3# 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	殷华湘;梁擎擎;钟汇才
代理机构	北京蓝智辉煌知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	陈红

摘要

本发明提供了一种纳米器件沟道超薄栅介质电容测试方法，包括：向器件施加第一频率的交流测试信号，确定器件在第一频率下的第一阻抗矢量包括幅值与相角；向器件施加第二频率的交流测试信号，确定器件在第二频率下的第二阻抗矢量包括幅值与相角；通过第一频率、第二频率、第一阻抗以及第二阻抗确定器件的电容。本发明的纳米器件沟道超薄栅介质电容测试方法，利用射频-超高频双频阻抗测试方法直接测定纳米沟道超薄栅介质的微小电容，能以较小误差测定纳米器件沟道与栅电容，抑制超薄栅介质高漏电的寄生影响，提高纳米器件沟道的微小电容测试量程，且对纳米器件沟道电容的直接在片测试无需特殊测试结构。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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