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一种钴掺杂二硫化钼原位电极及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711342109.3
  • IPC分类号:C01G51/00
  • 申请日期:
    2017-12-14
  • 申请人:
    三峡大学
著录项信息
专利名称一种钴掺杂二硫化钼原位电极及其制备方法
申请号CN201711342109.3申请日期2017-12-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-05-18公开/公告号CN108046338A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G51/00IPC分类号C;0;1;G;5;1;/;0;0查看分类表>
申请人三峡大学申请人地址
湖北省宜昌市大学路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三峡大学当前权利人三峡大学
发明人黄妞;郑方;孙小华;孙盼盼
代理机构宜昌市三峡专利事务所代理人暂无
摘要
本发明提供一种钴掺杂二硫化钼原位电极,所述的钴掺杂二硫化钼为钴均匀替代钼所形成的钴掺杂二硫化钼,钴掺杂二硫化钼的物相为2H型二硫化钼。具体制备方法是在室温下,将氯化钼溶于乙醇溶液中,再加入金属钴盐,再加入硫脲,搅拌溶解,得到Co‑Mo‑S前躯液;将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上,70~100℃快速干燥,得到前驱膜;将步骤二中前驱膜于氩气或氮气保护中经500~800℃烧结0.5~2 h,随炉冷却取出即可得到钴掺杂二硫化钼原位电极。本发明利用Co‑Mo‑S前驱液内Co、Mo、S原子的均匀混合性和Co‑Mo‑S乙醇前驱液易均匀成膜性;利用500~800℃高温固相反应制备钴掺杂的二硫化钼。原位Co掺杂MoS2电极生长具有相对于热解Pt电极更好的稳定性。

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