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一种用于多孔互连介质表面封孔的薄膜及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410175490.9
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/522
  • 申请日期:
    2014-04-29
  • 申请人:
    复旦大学
著录项信息
专利名称一种用于多孔互连介质表面封孔的薄膜及其制备方法
申请号CN201410175490.9申请日期2014-04-29
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2014-07-30公开/公告号CN103956331A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2查看分类表>
申请人复旦大学申请人地址
上海市杨浦区邯郸路220号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人复旦大学当前权利人复旦大学
发明人丁士进;黄毅华;张卫
代理机构上海正旦专利代理有限公司代理人陆飞;盛志范
摘要
本发明属于超大规模集成电路制造技术领域,具体为一种用于多孔互连介质表面封孔材料的制备方法。本发明以有机液态源三‑乙氧基甲基硅烷(MTES)为液态源,经过汽化后随氦(He)载气进入腔体与C2F6气体混合,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺,在多孔低介电常数互连介质表面沉积一层薄膜。该薄膜的介电常数为2.8‑3.3,在1MV/cm的电场强度下漏电流密度为10‑9A/cm2数量级,杨氏模量为16.21‑37.33 GPa,硬度为1.25‑3.03 GPa。该材料薄膜在超大规模集成电路后端互连中,可用于多孔互连介质层的封孔,同时起到增强多孔介质层与盖帽层或扩散阻挡层之间的黏附强度。

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