晶片尺寸封装结构及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911132450.5
IPC分类号：H01L23/31;H01L23/552;H01L21/50;H01L21/56
申请日期：
2019-11-19
申请人：
强茂股份有限公司

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专利名称	晶片尺寸封装结构及其制作方法
申请号	CN201911132450.5	申请日期	2019-11-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-04	公开/公告号	CN112908942A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;5;5;2;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	强茂股份有限公司	申请人地址	中国台湾高雄市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	强茂股份有限公司	当前权利人	强茂股份有限公司
发明人	何中雄
代理机构	北京泰吉知识产权代理有限公司	代理人	张雅军;史瞳

摘要

一种晶片尺寸封装结构，包括基座、半导体元件及电气绝缘体。该基座包括第一平面、相反于第一平面的第二平面及自第一平面朝第二平面凹陷并定义出填置空间的凹面，且第一平面、凹面与第二平面彼此电性导通。半导体元件设置于填置空间中以受基座的凹面所围绕，并包括晶片及彼此相反设置于晶片的第一电极与第二电极，且第二电极与基座的凹面电连接。电气绝缘体填充于填置空间中以覆盖基座的凹面与半导体元件并裸露出第一电极。本发明无须使用到悬臂结构的导线架，且半导体元件的第二电极通过凹面电性导通至第一平面，无须经由焊料热压至悬臂结构的导线架，能避免晶片歪斜与避免外界的电磁波干扰。本发明还提供晶片尺寸封装结构的制作方法。

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