一种微纳米碳纳米管薄膜三电极传感器及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110040711.8
IPC分类号：G01N27/70;B81C1/00
申请日期：
2011-02-16
申请人：
西安交通大学

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专利名称	一种微纳米碳纳米管薄膜三电极传感器及其制备方法
申请号	CN201110040711.8	申请日期	2011-02-16
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-09-07	公开/公告号	CN102175757A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/70 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/62 通过测试气体的电离，通过测试放电，例如阴极发射 G01N27/68 利用放电使气体电离 G01N27/70 测量其电流或电压	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;7;0;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市咸宁西路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安交通大学	当前权利人	西安交通大学
发明人	张勇;王影花;王进;宋晓慧;张晶园;姜为华;方静;张建业;唐建文;李昕;李盛涛;宋晓平;刘君华
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	汪人和

摘要

本发明公开了一种微纳米碳纳米管薄膜三电极传感器及其制备方法，传感器包括三个自上而下依次分布的第一、第二和第三电极，第一电极设有透气孔，其内表面粘接有分布着碳纳米管薄膜的基底；第二电极由中心设引出孔的引出极构成；第三电极由板面设盲孔的收集极构成；三个电极通过绝缘支柱隔离。方法包括：制作三个电极的掩模板、清洗硅片，溅射金属掩模；刻蚀金属掩模和图形、去除掩模、清洗硅片；溅射多层金属膜，制作金焊盘；丝网印刷绝缘浆料或粘接聚合物绝缘条；在第一电极的基底上生长或丝网印刷碳纳米管薄膜，再将基底粘接在第一电极内侧表面；将三电极粘合，键合电极引线，封装传感器。该传感器检测气体线性度好，准确度高，适合于推广使用。

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