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一种基于巨磁电阻芯片的角度传感器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110830237.2
  • IPC分类号:G01B7/30
  • 申请日期:
    2021-07-22
  • 申请人:
    谢九赛
著录项信息
专利名称一种基于巨磁电阻芯片的角度传感器
申请号CN202110830237.2申请日期2021-07-22
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-19公开/公告号CN113670190A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01B7/30IPC分类号G;0;1;B;7;/;3;0查看分类表>
申请人谢九赛申请人地址
广东省广州市番禺区大石街迎宾路221号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人谢九赛当前权利人谢九赛
发明人谢九赛
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种基于巨磁电阻芯片的角度传感器,其结构包括转轴、同步轮、操作箱,转轴上设有同步轮,同步轮与转轴相连接,操作箱上设有转轴,转轴与操作箱间隙配合,操作箱设有箱体、回旋轴、后盖、芯片、磁铁、稳定器,箱体内部设有回旋轴,回旋轴与箱体嵌合,回旋轴上安装有磁铁,磁铁与回旋轴相连接,稳定器安装在箱体上,本发明的稳定器抵扣支撑在回旋轴上,增加了回旋轴的支撑面积,而调节器的夹合块可通过调节组装结构抵扣在回旋轴的底部,进一步增加了回旋轴的支撑点,且回旋轴被稳定器所包裹,稳定器将回旋轴局限在包裹空间内,缩小了回旋轴的可晃动空间,回旋轴便不会受径向力和轴向力的影响而轻易晃动。

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