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一种半导体激光熔覆系统

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201921712779.4
  • IPC分类号:C23C24/10
  • 申请日期:
    2019-10-14
  • 申请人:
    华世光电(天津)有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体激光熔覆系统
申请号CN201921712779.4申请日期2019-10-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C24/10IPC分类号C;2;3;C;2;4;/;1;0查看分类表>
申请人华世光电(天津)有限公司申请人地址
天津市静海县静海经济开发区天宇科技园天宇大道11号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华世光电(天津)有限公司当前权利人华世光电(天津)有限公司
发明人关世阳;杨华景;吴克强;赵振纲;王钊;陈煦
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本实用新型涉及激光熔覆技术领域,公开一种半导体激光熔覆系统。所述半导体激光熔覆系统包括熔覆机构、输送机构、半导体激光器和角度调节装置,输送机构将待熔覆物输送至熔覆机构中,半导体激光器发射激光束,该激光束能够加热待熔覆物,熔覆机构将加热的待熔覆物熔焊于工件表面,以达到表面改性的目的。角度调节装置用于调节半导体激光器的角度,包括连接块和可升降的调节组件,连接块转动连接于调节组件上,半导体激光器与连接块球铰接。本实用新型通过调节组件的升降、连接块的转动、半导体激光器的转动,来调节半导体激光器的角度。角度调节装置的设置,可根据工艺的不同要求来调整半导体激光器的角度,结构简单,安装快捷。

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