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碳化硅外延晶片及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201380035073.8
IPC分类号：H01L21/20
申请日期：
2013-05-30
申请人：
LG伊诺特有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	碳化硅外延晶片及其制造方法
申请号	CN201380035073.8	申请日期	2013-05-30
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-03-18	公开/公告号	CN104428872A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/20 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;0查看分类表>
申请人	LG伊诺特有限公司	申请人地址	韩国首尔变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	LG伊诺特有限公司	当前权利人	LG伊诺特有限公司
发明人	姜石民;金知慧;金翼灿
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	陈海涛;穆德骏

摘要

根据一个实施方案，一种制造外延晶片的方法包括：在衬托器中提供晶片，通过将衬托器加热并供给表面处理气体而对晶片进行表面处理，以及在所述晶片上生长外延层。根据一个实施方案，一种外延晶片包含晶片和在所述晶片上形成的外延层，其中所述晶片的表面缺陷为0.5ea/cm2以下。

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