一种基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201420703603.3
IPC分类号：H01L33/12;H01L33/32
申请日期：
2014-11-20
申请人：
北京中科天顺信息技术有限公司

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专利名称	一种基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片
申请号	CN201420703603.3	申请日期	2014-11-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/12 具有一个应力弛豫结构，例如缓冲层〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2查看分类表>
申请人	北京中科天顺信息技术有限公司	申请人地址	北京市海淀区上地十街1号院2号楼17层1711室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京中科天顺信息技术有限公司	当前权利人	北京中科天顺信息技术有限公司
发明人	马亮;李金权;裴晓将;刘素娟;胡兵
代理机构	北京轻创知识产权代理有限公司	代理人	杨立

摘要

本实用新型涉及一种基于SiC衬底的氮化物LED薄膜倒装芯片，包括n型电极、氮化物外延层和p型电极，所述n型电极附着在所述氮化物外延层上，所述氮化物外延层附着在所述p型电极上；其中，所述氮化物外延层为基于SiC衬底的氮化物LED外延片中的氮化物外延层；所述基于SiC衬底的氮化物LED外延片包括SiC衬底、石墨烯层及所述氮化物外延层，所述石墨烯层附着在所述SiC衬底上，所述氮化物外延层附着在所述石墨烯层上。由于石墨烯层的加入，使得氮化物外延层与石墨烯之间存在着较弱的分子键相连接，为之后氮化物外延层与SiC衬底的分离提供了条件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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