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一种准一维纳米碳质材料电双层电容器及其制备

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN02109747.X
  • IPC分类号:H01G9/058;H01G9/155;H01G9/042
  • 申请日期:
    2002-05-28
  • 申请人:
    中国科学院金属研究所
著录项信息
专利名称一种准一维纳米碳质材料电双层电容器及其制备
申请号CN02109747.X申请日期2002-05-28
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2003-12-17公开/公告号CN1462048
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01G9/058IPC分类号H;0;1;G;9;/;0;5;8;;;H;0;1;G;9;/;1;5;5;;;H;0;1;G;9;/;0;4;2查看分类表>
申请人中国科学院金属研究所申请人地址
辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院金属研究所当前权利人中国科学院金属研究所
发明人成会明;李莉香;刘辰光;李峰;英哲
代理机构沈阳晨创科技专利代理有限责任公司代理人张晨
摘要
一种准一维纳米碳质材料电双层电容器,电极含有准一维纳米碳质材料,其特征在于:所述准一维纳米碳质材料表面复合一层聚合物,聚合物单体选自含第五主族(VA)、第六主族(VIA)元素的单环芳香族,含第五主族(VA)、第六主族(VIA)元素单杂环的有机物。本发明电双层电容器容量得到显著提高。

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