一种钛合金表面基于多弧离子镀铝的微弧氧化陶瓷涂层及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510770949.4
IPC分类号：C23C14/32;C23C14/16;C23C14/58;C25D11/10;C25D11/26
申请日期：
2015-11-12
申请人：
中国科学院金属研究所

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著录项信息

专利名称	一种钛合金表面基于多弧离子镀铝的微弧氧化陶瓷涂层及其制备方法
申请号	CN201510770949.4	申请日期	2015-11-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-05-24	公开/公告号	CN106702329A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/32 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/24 真空蒸发〔4〕 C23C14/32 爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法（C23C 14/34至C23C 14/48优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;2;;;C;2;3;C;1;4;/;1;6;;;C;2;3;C;1;4;/;5;8;;;C;2;5;D;1;1;/;1;0;;;C;2;5;D;1;1;/;2;6查看分类表>
申请人	中国科学院金属研究所	申请人地址	辽宁省沈阳市沈河区文化路72号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院金属研究所	当前权利人	中国科学院金属研究所
发明人	张伟;辛丽;朱圣龙;张涛;王福会
代理机构	沈阳科苑专利商标代理有限公司	代理人	许宗富;周秀梅

摘要

本发明公开了一种钛合金表面基于多弧离子镀铝的微弧氧化陶瓷涂层及其制备方法，属于金属表面处理技术领域。首先在钛合金基体表面进行多弧离子镀形成具有纳米尺度的纯铝层，然后在该镀铝层表面进行交流脉冲的微弧氧化，通过控制脉冲频率、氧化时间等电参数，在钛合金表面形成外层为Al2O3，底层为TiO2梯度复合陶瓷涂层，从而实现钛合金表面具有纳米尺度耐磨硬质功能涂层的制备。由于，Al2O3陶瓷层的硬度约为1000‑1500HV甚至以上，涂层的耐磨性应较TiO2陶瓷层有显著提升，而且原位生长的内层TiO2与基材依旧能够保持良好的结合。

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