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一种用于功率半导体PN结保护的工艺方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110545022.6
  • IPC分类号:H01L21/56;H01L23/29
  • 申请日期:
    2021-05-19
  • 申请人:
    上海音特电子有限公司
著录项信息
专利名称一种用于功率半导体PN结保护的工艺方法
申请号CN202110545022.6申请日期2021-05-19
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-07-30公开/公告号CN113192853A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/56IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;3;/;2;9查看分类表>
申请人上海音特电子有限公司申请人地址
上海市金山区枫泾镇曹黎路38弄25号1528室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海音特电子有限公司当前权利人上海音特电子有限公司
发明人肖南海
代理机构上海创开专利代理事务所(普通合伙)代理人汪发成
摘要
本发明公开了一种用于功率半导体PN结保护的工艺方法,涉及功率半导体器件领域。本发明采用聚酰亚胺保护PN结,包括步骤:使用多功能薄膜磁控溅射系统进行PN结表面均匀性保护涂覆;芯片N材表面进行腐蚀沟槽;去离子水超声工序,将表面清洗干净;然后进行聚酰亚胺液的固化工艺;对PN结另一表面,使用另外相同的设备连续性地进行重复步骤S01‑S04的稳定性处理;固化后清洗;将经上述处理工艺的硅片进行焊接面镀钛、镍、银,然后进行烘干处理;晶圆的划片。本发明具有高温特性和超高的耐压特性来实现保护半导体结,材料分子结构稳定,硬度与传统玻璃烧结相比小,使用聚酰亚胺材材料的涂覆容易控制,均匀分布;不容易产生堆积和空洞。

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