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不对称高压MOS器件栅氧化层保护方法及其应用

发明专利有效专利

申请号：
CN200610118022.3
IPC分类号：G03F7/00;H01L21/336
申请日期：
2006-11-07
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	不对称高压MOS器件栅氧化层保护方法及其应用
申请号	CN200610118022.3	申请日期	2006-11-07
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2008-05-14	公开/公告号	CN101178537
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F7/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F7/00 图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L 21/00，H05K）〔3，5〕	IPC分类号	G;0;3;F;7;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人	崔崟;郭兵;金起凖;程超;梅奎
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	李勇

摘要

一种HVMOS的不对称器件的栅氧化层的刻蚀方法，将SDOP的掩膜中不对称器件的源极接触孔的刻蚀窗口远离栅氧化层一定距离，之后通过干法刻蚀和湿法刻蚀两步将接触孔上方的栅氧化层去除，而使栅氧化层保持完整。

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