一种MEMS惯性传感器芯片模组及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110806106.0
IPC分类号：B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
申请日期：
2021-07-16
申请人：
湖南天羿领航科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种MEMS惯性传感器芯片模组及其制备方法
申请号	CN202110806106.0	申请日期	2021-07-16
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-28	公开/公告号	CN113443601A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;2;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	湖南天羿领航科技有限公司	申请人地址	湖南省长沙市长沙县经开区泉塘街道映霞路29号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湖南天羿领航科技有限公司	当前权利人	湖南天羿领航科技有限公司
发明人	虢晓双;杨靖;张新凯;熊亮;黎傲雪;彭健
代理机构	湖南兆弘专利事务所（普通合伙）	代理人	谭武艺

摘要

本发明公开了一种MEMS惯性传感器芯片模组及其制备方法，本发明MEMS惯性传感器芯片模组，包括壳体，所述壳体分别固定有PCB板和金属支撑柱，所述金属支撑柱上支承有MEMS惯性传感器芯片组件，所述MEMS惯性传感器芯片组件上的连接端子通过金属线与PCB板上的连接端子相互连接。本发明无需一级封装工艺，大幅度降低封装及集成成本，缩小集成体积，避免了表面安装涉入的热应力，也能实现快速热传导，可保有MEMS惯性传感器芯片级各项性能指标，能够改善现有技术对MEMS惯性传感器芯片的应用限制，避免一级封装或二级封装热应力的对系统集成应用的影响。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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