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化学机械抛光磨料粒子CeO2及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200710065387.9
  • IPC分类号:C09C1/68;C09G1/02;H01L21/304
  • 申请日期:
    2007-04-12
  • 申请人:
    北京有色金属研究总院;有研稀土新材料股份有限公司
著录项信息
专利名称化学机械抛光磨料粒子CeO2及其制备方法
申请号CN200710065387.9申请日期2007-04-12
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2008-10-15公开/公告号CN101284952
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C09C1/68IPC分类号C;0;9;C;1;/;6;8;;;C;0;9;G;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;4查看分类表>
申请人北京有色金属研究总院;有研稀土新材料股份有限公司申请人地址
北京市新街口外大街2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人有研稀土新材料股份有限公司当前权利人有研稀土新材料股份有限公司
发明人韩业斌;朱兆武;龙志奇;黄小卫;崔大立;张顺利;崔梅生
代理机构北京北新智诚知识产权代理有限公司代理人郭佩兰
摘要
本发明涉及到化学机械抛光(CMP)磨料粒子CeO2及其制备方法,属于稀土粉体材料的化学制备技术领域。本发明是关于以铈的无机盐溶液利用均相沉淀剂制备得到CMP抛光磨料粒子的方法。其制备步骤是将铈的无机盐与沉淀剂配成一定比例的溶液,通过超声震动使其混合均匀,加热到一定温度生成沉淀,再将浆液静置陈化后,再过滤和煅烧,即可制得CeO2磨料粒子。本发明还通过加入表面活性剂来促进成核速度,从而降低了反应温度,同时得到的磨料粒子球化度也比较好。制备得到了属于单相立方晶系,空间群为O5H-FM3M,分散性好、粒度分布均匀的类球形状,0<比表面积BET<50m2/g的CMP磨料粒子。

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