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一种具有交换偏置效应的单相氧化物多铁陶瓷及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510140125.9
  • IPC分类号:C04B35/453;C04B35/622
  • 申请日期:
    2015-03-27
  • 申请人:
    中国科学技术大学
著录项信息
专利名称一种具有交换偏置效应的单相氧化物多铁陶瓷及其制备方法
申请号CN201510140125.9申请日期2015-03-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-07-08公开/公告号CN104761252A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/453IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;4;5;3;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人中国科学技术大学申请人地址
安徽省合肥市包河区金寨路96号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学技术大学当前权利人中国科学技术大学
发明人陆亚林;黄妍;彭冉冉;傅正平;翟晓芳
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人赵青朵
摘要
本发明提供了一种具有交换偏置效应的单相氧化物多铁陶瓷,如式(I)所示:Bi10Fe5.9Co0.1Ti3O30(I)。其具有较高的居里温度,在室温下同时具有铁电性和铁磁性,并具有本征的交换偏置效应。不仅可以磁场调控,还可实现电场调控,提供了同时利用电极化和磁极化来编码储存信息的可能性,进而使超高存储密度的磁电互控非易失存储磁性介质成为可能。

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