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半导体器件中实现载流子寿命控制的结构及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310321062.8
  • IPC分类号:H01L29/32;H01L21/02
  • 申请日期:
    2013-07-26
  • 申请人:
    上海北车永电电子科技有限公司
著录项信息
专利名称半导体器件中实现载流子寿命控制的结构及其制造方法
申请号CN201310321062.8申请日期2013-07-26
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2013-12-18公开/公告号CN103456771A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/32IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人上海北车永电电子科技有限公司申请人地址
上海市浦东新区蔡伦路1690号3号楼105室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海北车永电电子科技有限公司当前权利人上海北车永电电子科技有限公司
发明人张栋;黄国华;王明杰;吕国琦
代理机构上海一平知识产权代理有限公司代理人成春荣;竺云
摘要
本发明涉及半导体器件领域,公开了一种半导体器件中实现载流子寿命控制的结构及其制造方法。本发明中,该半导体器件中实现载流子寿命控制的结构包括半导体衬底、绝缘介质层、和半导体外延层;该绝缘介质层位于半导体衬底和半导体外延层之间,且该绝缘介质层由多个岛状绝缘介质块组成,且岛状绝缘介质块的直径小于3μm;在半导体外延层与绝缘介质层的交界面处具有因晶格不匹配而形成的缺陷。该半导体器件中实现载流子寿命控制的结构的生产涉及的设备和工艺都是传统半导体生产工程中常用的技术,与统的半导体生产线兼容性更好,容易在半导体生产线上实施,具有更低的生产成本。

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