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表面处理方法以及表面处理装置

发明专利无效专利

申请号：
CN201110127811.4
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/00
申请日期：
2011-05-12
申请人：
兵库县;东京毅力科创株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	表面处理方法以及表面处理装置
申请号	CN201110127811.4	申请日期	2011-05-12
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-11-30	公开/公告号	CN102263012A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	兵库县;东京毅力科创株式会社	申请人地址	日本兵库县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	兵库县,东京毅力科创株式会社	当前权利人	兵库县,东京毅力科创株式会社
发明人	丰田纪章;山田公;成岛正树;原岛正幸;森崎英介
代理机构	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司	代理人	柳春雷

摘要

本发明涉及表面处理方法以及表面处理装置。所述表面处理方法可提高基板等的表面的平坦性。一种表面处理方法，其特征在于，包括以下工序：第一处理工序，产生不包含氮的原料的气体团簇离子束，并将其照射到被处理部件；以及第二处理工序，产生氮的气体团簇离子束，并将其照射到所述被处理部件。通过上述表面处理方法，可解决上述问题。

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