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金属互连结构形成方法和金属互连结构

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110103157.3
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/522
  • 申请日期:
    2011-04-25
  • 申请人:
    上海宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称金属互连结构形成方法和金属互连结构
申请号CN201110103157.3申请日期2011-04-25
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2011-09-14公开/公告号CN102184890A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2查看分类表>
申请人上海宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人牟善勇;谭璜
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人郑玮
摘要
本发明提供了一种金属互连结构形成方法和金属互连结构。根据本发明的金属互连结构形成方法包括:金属间介质沉积步骤,用于在形成有有源区结构的半导体器件结构上沉积金属间介质;接触孔图案形成步骤,用于对金属间介质进行刻蚀以形成接触孔图案,金属层形成步骤,用于在形成有接触孔图案的结构上形成金属层;刻蚀步骤,用于所形成的金属层进行刻蚀;以及金属层再形成骤,用于在刻蚀后的金属层上再次形成金属覆盖层。根据本发明,通过两次形成金属层以及两次形成金属之间的刻蚀,可以有效地消除接触孔部分的金属互连结构中的空隙,并且使得所形成的金属互连结构更加均匀。

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