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制备新型宽能隙P型SiOH微晶太阳能薄膜电池

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210056548.9
  • IPC分类号:H01L31/18;C23C16/44
  • 申请日期:
    2012-03-06
  • 申请人:
    吉富新能源科技(上海)有限公司
著录项信息
专利名称制备新型宽能隙P型SiOH微晶太阳能薄膜电池
申请号CN201210056548.9申请日期2012-03-06
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2013-09-18公开/公告号CN103311359A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4查看分类表>
申请人吉富新能源科技(上海)有限公司申请人地址
上海市青浦区北青公路8228号3区8号4幢 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人吉富新能源科技(上海)有限公司当前权利人吉富新能源科技(上海)有限公司
发明人戴嘉男;刘幼海;刘吉人
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明主要目的是制备新型宽能隙P型SiOH微晶太阳能薄膜电池。其是在PECVD腔体进行制程,将TCO玻璃放入到PECVD腔体内,随后制作本发明宽能隙P型半导体,其使用的气体是SiH4,H2,TMB及CO2,主要使用CO2就是可以提升其能隙,接着固定腔体的温度,调整其气体总流量、制程压力,及电极与玻璃间距与RF功率等参数,来制作出宽能隙的P型SixOx:H微晶半导体,因为添加CO2除了可以提升能隙之外,其也会让P型半导体从微晶转成非晶相,因此,在添加CO2过程中也需要控制TMB与SiH4的含量,才能够控制其保持微晶相,如此可以让微晶半导体可以吸收更多的红外光,且可以提升其微晶的电压,且因为吸收更多红外光,可以让后续镀膜的I型微晶半导体可以吸收较多红外光源,并且可以提升电流,在完成前两层镀膜后,再镀上N型微晶半导体,可以让电子电动流动顺畅,如此即完成此制程,最后镀上背电极及后续制程,即可以得到高效率的电压,电流以及转换效率。

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