加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种高压FRD的截断型深槽结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201020572513.7
  • IPC分类号:H01L21/329
  • 申请日期:
    2010-10-22
  • 申请人:
    嘉兴斯达半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种高压FRD的截断型深槽结构
申请号CN201020572513.7申请日期2010-10-22
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/329IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人嘉兴斯达半导体有限公司申请人地址
浙江省嘉兴市南湖区科兴路988号(嘉兴科技城) 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人嘉兴斯达半导体股份有限公司当前权利人嘉兴斯达半导体股份有限公司
发明人红梅
代理机构杭州九洲专利事务所有限公司代理人翁霁明
摘要
一种高压FRD的截断型深槽结构,它包括一带有PN结的FRD二极管,在其表面淀积有一层氧化层,在其PN结的两端光刻并深槽DRIE刻蚀然后淀积有二氧化硅;所述的深槽深度远大于结深,它的深度至少与击穿时平面结耗尽区宽度相当;所述的深槽内侧生长有至少一层氧化层;它具有提高了FRD器件的击穿电压,使击穿电压接近平面结的击穿电压,降低了FRD器件的面积,降低了成本等特点。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供