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减小浅沟槽隔离中边沟深度的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510023987.X
  • IPC分类号:H01L21/76
  • 申请日期:
    2005-02-22
  • 申请人:
    上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司
著录项信息
专利名称减小浅沟槽隔离中边沟深度的方法
申请号CN200510023987.X申请日期2005-02-22
法律状态撤回申报国家暂无
公开/公告日2006-08-30公开/公告号CN1825557
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/76IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6查看分类表>
申请人上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司申请人地址
上海市张江高科技园区春晓路149号主楼1楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海集成电路研发中心有限公司,上海华虹(集团)有限公司当前权利人上海集成电路研发中心有限公司,上海华虹(集团)有限公司
发明人王全
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人丁纪铁
摘要
本发明公开了一种减小浅沟槽隔离中边沟深度的方法,该方法在一般STI流程中氮化硅腐蚀后,成长一层氧化物,再用各向异性干法刻蚀做回刻,只在从剖面看有台阶的地方留下氧化物,在场区和有源区交界面有断差(overhang)处形成保护性侧墙,作为保护以避免在场氧化物顶部角落形成边沟(Divot),然后再以氢氟酸腐蚀垫氧化层。本发明方法有效地减小甚至消除浅沟槽隔离区边沟,而且能在后续的工艺(如多晶硅栅蚀刻和硅栅边墙蚀刻)过程中,大大降低发生残留现象的可能性,从而提高集成电路的性能和可靠性。

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