一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN92113809.1
IPC分类号：--
申请日期：
1992-12-15
申请人：
中国科学院上海技术物理研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法
申请号	CN92113809.1	申请日期	1992-12-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1993-09-01	公开/公告号	CN1075831
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院上海技术物理研究所	申请人地址	上海市中山北一路420号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海技术物理研究所	当前权利人	中国科学院上海技术物理研究所
发明人	袁诗鑫;李杰;彭中灵;陈新禹;俞锦陛;郭世平;乔怡敏;于梅芳;谢钦熙
代理机构	中国科学院上海专利事务所	代理人	高毓秋

摘要

本发明提供了一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法。在激光器有源区采用原子层外延方法生长原子层超晶格(量子阱)。其中作为势阱的原子层超晶格中的势阱与势垒分别用ZnSe与CdSe组成，其厚度不超过其临界厚度，消除晶格弛豫所造成的失配位错，提高晶体结构完整性，提高了半导体激光器性能。在n区夹一层50纳米的Zn1-xCdxSySe1-y，在激光器的正向偏压下就可以提高空穴的阻挡作用，增加激光器量子效率。并用原子层掺杂，改善了P型区的欧姆接触性质。

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