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一种高浓度大量合成银纳米线的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710046510.2
  • IPC分类号:C30B29/02;C30B29/62;B22F9/24;C22B3/44;C22B11/00
  • 申请日期:
    2007-09-27
  • 申请人:
    复旦大学
著录项信息
专利名称一种高浓度大量合成银纳米线的方法
申请号CN200710046510.2申请日期2007-09-27
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-07-16公开/公告号CN101220506
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C30B29/02IPC分类号C;3;0;B;2;9;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;6;2;;;B;2;2;F;9;/;2;4;;;C;2;2;B;3;/;4;4;;;C;2;2;B;1;1;/;0;0查看分类表>
申请人复旦大学申请人地址
上海市邯郸路220号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人复旦大学当前权利人复旦大学
发明人张炜佳;张亚红;唐颐
代理机构上海正旦专利代理有限公司代理人陆飞;盛志范
摘要
本发明属于纳米材料技术领域,具体为一种高浓度大量合成银纳米线的方法。该方法以硝酸银为银源,以不锈钢为辅助剂,在不活泼气体保护下,在回流装置中于100℃-200℃油浴反应30-300分钟,制备得具有直径为50~800纳米,长度为1~100微米的银纳米线,产物的成分为纯银。该方法制备的银纳米线具有规律的晶体结构、大的比表面积以及粗细、长短可调控的性质。这种银纳米线在导电导热、放电磁辐射、放经典、抗菌等高分子复合材料的合成、银纳米线在纳米器件组装、先进催化剂的设计、生物荧光标记、微观传导、纳米记忆材料、增强荧光、增强拉曼光谱等光学、电学和材料领域中具有广泛的应用价值。

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