首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管

发明专利有效专利

申请号：
CN201110197080.0
IPC分类号：H01L21/77;H01L21/768;H01L29/786;H01L29/417
申请日期：
2011-07-14
申请人：
深圳市华星光电技术有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管
申请号	CN201110197080.0	申请日期	2011-07-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-11-16	公开/公告号	CN102244038A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/77 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/77 在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）〔6，2006.01，2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7查看分类表>
申请人	深圳市华星光电技术有限公司	申请人地址	广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市华星光电技术有限公司	当前权利人	深圳市华星光电技术有限公司
发明人	覃事建;贺成明
代理机构	深圳翼盛智成知识产权事务所（普通合伙）	代理人	欧阳启明

摘要

本发明提供了薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管，通过在薄膜晶体管的数据线表面设置通孔，使薄膜晶体管的源极电极或者漏极电极在形成过程中直接同数据线电学连接，节省了工艺成本。进一步地，薄膜晶体管的源极电极和漏极电极也采用多晶硅材料制备，而非现有技术中的金属材料，简化了工艺步骤，从而进一步节省了工艺成本。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供