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具有光功率读取的发光器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201910030846.2
IPC分类号：H01L33/32;H01L33/24;H01L33/48;H01L33/62
申请日期：
2019-01-14
申请人：
博尔博公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有光功率读取的发光器件
申请号	CN201910030846.2	申请日期	2019-01-14
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-02-07	公开/公告号	CN110767787A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/26 发光区的材料〔2010.01〕 H01L33/30 只包括周期体系中的III族和V族的元素〔2010.01〕 H01L33/32 含氮〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;2;4;;;H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2查看分类表>
申请人	博尔博公司	申请人地址	美国加利福尼亚州圣何塞市墨菲大街1172号237室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	博尔博公司	当前权利人	博尔博公司
发明人	张剑平;高英;周瓴;陆内夫·亚历山大
代理机构	青岛清泰联信知识产权代理有限公司	代理人	梁春艳

摘要

具有片上光功率读取的发光器件包括：形成在同一芯片的相同衬底上彼此相邻的发光台面和光检测台面，发光台面发出的一部分光至少通过衬底传送至光检测台面。发光台面和光检测台面具有相同的外延结构，并且可以通过绝缘层，或二者之间的空隙，或电子注入而彼此电隔离。发光台面和光检测台面在分别具有各自的p电极的同时而共享n型结构和公共n电极。

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