一种防止旁瓣被刻蚀转移到衬底的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200310109456.3
IPC分类号：H01L21/027;H01L21/30;G03F7/00
申请日期：
2003-12-16
申请人：
上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司

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专利名称	一种防止旁瓣被刻蚀转移到衬底的方法
申请号	CN200310109456.3	申请日期	2003-12-16
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-11-17	公开/公告号	CN1547241
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/027 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;;;G;0;3;F;7;/;0;0查看分类表>
申请人	上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司	申请人地址	上海市淮海中路918号18楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹(集团)有限公司,上海集成电路研发中心有限公司	当前权利人	上海华虹(集团)有限公司,上海集成电路研发中心有限公司
发明人	肖慧敏
代理机构	上海正旦专利代理有限公司	代理人	滕怀流;陶金龙

摘要

在先进的半导体制造工艺中，移相掩膜的使用越来越广泛。尤其在接触孔光刻方面，弱化移相掩膜已经成为0.18μm及以下技术节点中通用的解决方案。但与弱化移相掩膜伴生的旁瓣往往在刻蚀过程中被转移到衬底，导致不该开孔的地方孔被开出，制约了工艺窗口。本发明通过光刻胶回流防止旁瓣被刻蚀转移到衬底。其方法是在接触孔光刻后刻蚀前加一步烘烤，并控制合适的烘烤温度和时间使得光刻胶发生流动，从而将旁瓣填平，使旁瓣不因胶被刻透而转移到衬底上。

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