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以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910081225.3
IPC分类号：G02B6/136
申请日期：
2009-03-30
申请人：
中国科学院半导体研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法
申请号	CN200910081225.3	申请日期	2009-03-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-10-06	公开/公告号	CN101852893A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02B6/136 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02B 光学元件、系统或仪器（G02F优先；专用于照明装置或系统的光学元件入F21V 1/00至F21V 13/00；测量仪器见G01类的有关小类，例如，光学测距仪入G01C；光学元件、系统或仪器的测试入G01M 11/00；眼镜入G02C；摄影、放映或观看用的装置或设备入G03B；声透镜入G10K 11/30；电子和离子“光学”入H01J；X射线“光学”入H01J，H05G 1/00；结构上与放电管相组合的光学元件入H01J 5/16，H01J 29/89，H01J 37/22；微波“光学”入H01Q；光学元件与电视接收机的组合装置入H04N 5/72；彩色电视系统中的光学系统或装置入H04N 9/00；专门适用于透明或反射区的加热装置入H05B 3/84）〔1，7〕 G02B6/00 光导；包含光导和其他光学元件（如耦合器）的装置的结构零部件〔4，6〕 G02B6/10 光波导式的（G02B 6/02，G02B 6/24优先，用电、磁、电磁或电声装置进行光的控制入G02F 1/00；变换受调制光的调制入G02F 2/00；光学逻辑元件入G02F 3/00；光学模拟/数字变换器入G02F 7/00；使用电光元件的存储器入G11C 11/42；电波导管入H01P；通过光学装置传输信息的入H04B 10/00；多路系统入H04J 14/00）〔4，8〕 G02B6/12 集成光路类型（单晶的制备和加工入C30B；集成电路入H01L 27/00）〔4〕 G02B6/13 以制作方法为特征的集成光路〔6〕 G02B6/136 用蚀刻法〔6〕	IPC分类号	G;0;2;B;6;/;1;3;6查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	李艳;杨富华;裴为华
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	周国城

摘要

本发明公开了一种以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法，该方法包括：步骤1：在二氧化硅样品表面制备光刻胶掩膜；步骤2：对光刻胶掩膜进行梯度升温坚膜；步骤3：采用ICP干法刻蚀二氧化硅样品。本发明以光刻胶为掩膜进行二氧化硅深刻蚀，具有工艺简单快捷，选择比高，刻蚀深度可达25微米，刻蚀形貌好，侧壁陡直等优点。

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