一种利用聚焦离子束加工纳米双极电极阵列的方法及用途

发明专利有效专利

申请号：
CN202110384288.7
IPC分类号：G01N27/327
申请日期：
2021-04-09
申请人：
南方科技大学

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专利名称	一种利用聚焦离子束加工纳米双极电极阵列的方法及用途
申请号	CN202110384288.7	申请日期	2021-04-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-16	公开/公告号	CN113125540A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/327 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/26 通过测试电化学变量；用电解或电泳法〔5〕 G01N27/28 电解池部件 G01N27/30 电极，例如测试电极；半电池（G01N 27/414优先）〔5〕 G01N27/327 生物化学电极〔5〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;3;2;7查看分类表>
申请人	南方科技大学	申请人地址	广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南方科技大学	当前权利人	南方科技大学
发明人	郝瑞;胡添翼;杨鸿成;李国鹏
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	潘登

摘要

本发明涉及一种用聚焦离子束加工纳米双极电极阵列的方法，所述方法包括如下步骤(1)在电极载体的一侧沉积10‑200nm的导电薄膜，之后采用聚焦离子束在沉积导电薄膜的对侧制备纳米孔阵列；(2)在步骤(1)所述纳米孔阵列中的孔洞内沉积电极材料，之后采用聚焦离子束对沉积电极材料的纳米孔阵列进行刻蚀，然后将步骤(1)沉积的导电薄膜去除，得到所述纳米双极电极阵列。本发明提供的纳米双极电极阵列的加工方法，可以增强其导电性，降低电荷累积现象，提高电子/离子束的成像分辨率。所述双电极阵列可以对细胞以及化学反应电信号的进行检测。

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