改善雪崩能力的超结终端结构及制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011005472.8
IPC分类号：H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
申请日期：
2020-09-23
申请人：
西安龙飞电气技术有限公司

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著录项信息

专利名称	改善雪崩能力的超结终端结构及制造方法
申请号	CN202011005472.8	申请日期	2020-09-23
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-02-09	公开/公告号	CN112349769A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/06 按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	西安龙飞电气技术有限公司	申请人地址	陕西省西安市未央区经济技术开发区凤城十二路凯瑞A座304-04室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安龙飞电气技术有限公司	当前权利人	西安龙飞电气技术有限公司
发明人	肖晓军;张园园;张军亮
代理机构	西安新思维专利商标事务所有限公司	代理人	李罡

摘要

本发明涉及一种改善雪崩能力的超结终端结构制造方法，在N+衬底上生长N‑外延；在N‑外延注入N型杂质，在终端区的注入尺寸为X3＞X2＞X1；在N‑外延表面，刻蚀出深沟槽后生长P型外延，使之填充满深沟槽；进行CMP工艺，将深沟槽外的P型外延及N‑外延一并去掉，形成N柱P柱相交替的超结结构；通过PW光刻板注入体区并退火形成PWELL区；淀积场氧层成并回刻，通过栅氧、多晶硅淀积回刻形成gate，再注入As或P，推阱形成N‑source；淀积ILD并回刻，孔注，最后淀积金属并回刻，形成器件的最终结构。本发明在相同的雪崩能力要求下，可以有效的减小终端面积，提高器件的电流处理能力，降低器件成本。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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