一种降低多晶硅制绒表面反射率的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210323936.9
IPC分类号：C30B33/10
申请日期：
2012-09-05
申请人：
浙江鸿禧光伏科技股份有限公司

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专利名称	一种降低多晶硅制绒表面反射率的方法
申请号	CN201210323936.9	申请日期	2012-09-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-01-02	公开/公告号	CN102851743A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B33/10 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B33/00 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理（C30B 31/00优先）〔3，5〕 C30B33/08 侵蚀〔5〕 C30B33/10 在溶液或熔体内〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;3;3;/;1;0查看分类表>
申请人	浙江鸿禧光伏科技股份有限公司	申请人地址	浙江省嘉兴市平湖市新仓镇童车路变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江鸿禧能源股份有限公司	当前权利人	浙江鸿禧能源股份有限公司
发明人	冯晓军
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种降低多晶硅制绒表面反射率的方法，具体地涉及在采用多晶硅酸制绒出现表面反射率过高时，降低多晶硅制绒表面的反射率。方案A：停止补加HNO3，保证HF正常补加，持续一定时间后溶液中HNO3的浓度下降；随着时间的推移，待反射率降低至技术参数要求范围内，进行正常补加HNO3和HF。方案B：加水降低HNO3和HF的整体浓度，然后再加入HF，待反射率降低至技术参数要求范围内，进行正常补加HNO3和HF。本发明的有益效果是可以有效地降低多晶硅制绒后的表面反射率，减少因反射率过高导致的亮片、花色片，达到提高多晶硅太阳能电池片的光电转换效率的目的。

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