处理工具以及处理晶片的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010783248.5
IPC分类号：H01L51/56H01L21/67H01L21/68H01L21/687
申请日期：
2020-08-06
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	处理工具以及处理晶片的方法
申请号	CN202010783248.5	申请日期	2020-08-06
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-03	公开/公告号	CN113346035A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/56 专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备〔8〕	IPC分类号	H01L51/56;H01L21/67;H01L21/68;H01L21/687查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六*** 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	刘丙寅;蔡嘉雄;黄信华;张宇行;林勇志
代理机构	南京正联知识产权代理有限公司	代理人	王素琴

摘要

本公开涉及一种处理工具，所述处理工具包括第一晶片安装框架及第二晶片安装框架。第一晶片安装框架被配置成固持目标晶片。第二晶片安装框架被配置成固持掩蔽晶片。掩蔽晶片包括由穿过掩蔽晶片的多个开口构成的掩模图案以对应于将形成在目标晶片上的预定沉积图案。沉积室被配置成当第一晶片安装框架与第二晶片安装框架夹持在一起以固持目标晶片及掩蔽晶片时接纳第一晶片安装框架及第二晶片安装框架。沉积室包括材料沉积源，所述材料沉积源被配置成通过掩模图案中的所述多个开口从材料沉积源沉积材料，以在目标晶片上以预定沉积图案形成材料。