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制造半导体装置的方法以及半导体装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810009253.X
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/522
  • 申请日期:
    2008-01-31
  • 申请人:
    富士通株式会社
著录项信息
专利名称制造半导体装置的方法以及半导体装置
申请号CN200810009253.X申请日期2008-01-31
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2008-08-06公开/公告号CN101236918
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;2查看分类表>
申请人富士通株式会社申请人地址
日本神奈川县横浜市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人富士通半导体股份有限公司当前权利人富士通半导体股份有限公司
发明人酒井久弥;清水纪嘉
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司代理人张龙哺;冯志云
摘要
一种制造半导体装置的方法及半导体装置,所述方法包括下列步骤:在层间绝缘膜中形成到达底层布线的通孔和布线沟槽,其中所述层间绝缘膜形成在所述底层布线上;在通过所述通孔暴露的所述底层布线上、所述通孔的内壁上以及所述布线沟槽的内壁上形成扩散阻挡膜;在沉积在所述通孔的底部上的所述扩散阻挡膜被蚀刻的同时,在所述底层布线上以及形成在所述通孔的内壁上和所述布线沟槽的内壁上的所述扩散阻挡膜上形成籽晶层;以及在所述通孔内和所述布线沟槽内形成金属布线。

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