半导体热电偶型微波功率传感器

发明专利无效专利

申请号：
CN02159357.4
IPC分类号：--
申请日期：
2002-12-26
申请人：
中国科学院电子学研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体热电偶型微波功率传感器
申请号	CN02159357.4	申请日期	2002-12-26
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-07-07	公开/公告号	CN1510425
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院电子学研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村路17号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院电子学研究所	当前权利人	中国科学院电子学研究所
发明人	崔大付;者文明;陈德勇
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	戎志敏

摘要

本发明公开了一种半导体热电偶型微波功率传感器，包括：硅衬底(26)；在该硅衬底中选择性扩散N+硅而形成的N+硅低阻通道(30)；在所述硅衬底上制备的绝缘保护层(25)；设置在该绝缘保护层上的微波吸收电阻(24)以及第一金属电极(21)、第二金属电极(22)和第三金属电极(23)；在所述第一、第二和第三金属电极之间分别开有穿通所述硅衬底和所述绝缘保护层的沟槽(29)，形成隔离的桥形微波吸收通路和热偶通路。本发明能提高传感器灵敏度，减小失配误差，改善驻波比。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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