一种半导体单晶硅的拉晶炉

发明专利有效专利

申请号：
CN202110428621.X
IPC分类号：C30B15/20;C30B29/06
申请日期：
2021-04-21
申请人：
姜益群

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种半导体单晶硅的拉晶炉
申请号	CN202110428621.X	申请日期	2021-04-21
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-07-02	公开/公告号	CN113061983A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/20 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B15/20 控制或调节（一般的控制或调节入G05）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;2;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	姜益群	申请人地址	浙江省杭州市西湖区山水人家美林泉1-3-201 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	姜益群	当前权利人	姜益群
发明人	姜益群
代理机构	杭州天勤知识产权代理有限公司	代理人	颜果

摘要

本发明涉及一种半导体单晶硅的拉晶炉，属于单晶硅生产技术领域。包括炉体、设置在炉体内的坩埚和加热器，炉体内设有梯度测温装置，炉体的底部设有温度测试仪；加热器设置在坩埚的外围，包括间隔一定距离上下布置的上加热器和下加热器，上加热器和下加热器的发热区高度为坩埚高度的1/4至1/2，且上加热器与下加热器的加热区之间间隔为50mm至坩埚高度的1/3。实现了坩埚内熔体的温度梯度和坩埚底部的温度的精准控制，从而获得了低缺陷密度低COP的高品质硅单晶，以及各类半导体硅器件对单晶氧含量的要求，并且硅单晶的品质的稳定性、一致性也得到极大的提升，为半导体硅单晶的晶体生长提供了有效的控制方法。

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