一种具有超低反射率微纳复合结构的黑硅衬底制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910982886.7
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/0236
申请日期：
2019-10-16
申请人：
哈尔滨工业大学

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著录项信息

专利名称	一种具有超低反射率微纳复合结构的黑硅衬底制备方法
申请号	CN201910982886.7	申请日期	2019-10-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-01-24	公开/公告号	CN110729379A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;3;6查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	张丹;甘阳;申健;陈远东;汪郑扬
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所	代理人	岳泉清

摘要

一种具有超低反射率微纳复合结构的黑硅衬底制备方法，本发明涉及低反射率黑硅衬底制备领域。本发明要解决现有硅衬底表面反射率高，导致太阳能电池效率低的问题。方法：利用Cu金属催化辅助的化学蚀刻法，采用CuNO3、HF和H2O2混合溶液对硅衬底进行蚀刻，生成微米级尺寸陷光结构；再放入AgNO3与HF混合溶液中进行银纳米粒子的自组装沉积；然后采用HF与H2O2混合溶液进行Ag金属催化辅助的化学蚀刻，完成制备。本发明制备具有微纳图形阵列的硅衬底实现了超低的表面反射率，高效地制备微纳图形阵列结构，重复性高，并通过优化蚀刻条件可调控其反射率。本发明制备的具有超低反射率微纳复合结构的黑硅衬底用于太阳能电池中。

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